RADIOFUN.RU

сайт для радиолюбителей

  • Increase font size
  • Default font size
  • Decrease font size

Различные типы

Однопереходный транзистор
IGBT-транзистор
Составной транзистор ( схема Дарлингтона)
 Фототранзистор

Однопереходный транзистор (другое название двухбазовый транзистор; англ. double-base diode) состоит из двух баз (B1, B2) расположенных по краям кристалла полупроводника и эмиттера в его центре. Переход E-B1 обладает свойствами отрицательного дифференциального сопротивления; здесь может происходить скачок между высоким и низким напряжениям.


Однопереходный транзистор: (a) Конструкция, (b) Модель, с) Условное обозначение на схемах


Когда эмиттер отключён, полное сопротивление RBBO равно RB1 +RB2, как показано на рисунке ниже (b). В зависимости от типа прибора значение RBBO лежит в диапазоне 4-12 кОм. Коэффициент передачи η характеризует напряжение переключения и определяется как отношение RB1 к RBBO. Он принимает значения от 0,4 до 0,8.

Если посмотреть на кривую (рис. (a) на графике зависимости тока эмиттера однопереходного транзистора от напряжения видно, что напряжение VE поднимается, ток IЕ возрастает до значения IP в точке включения. За пределами точки включения, ток возрастает, а напряжение падает в области отрицательного сопротивления. Напряжение становится минимальным в так называемой точке впадины. Сопротивление RB1, — сопротивление насыщения, — будет наименьшим в точке впадины.

Значения IP и IV указываются в листке технических данных. Значение VP- это падение напряжения на RB1 плюс падение напряжения на диоде 0,7 В (см. рис. (b). Напряжение впадины VV обычно составляет примерно 10% от напряжения VBB.



Однопереходный транзистор: (а) график зависимости тока эмиттера от напряжения, (b) модель для V

Однопереходные транзисторы  используются в релаксационных генераторах, схемах синхронизации, а также в схемах управления тиристорами.

 

Поиск по сайту